MDV530单晶少子寿命测试仪

MDV530单晶少子寿命测试仪 MDV530
1.寿命测试范围：5~7000μSμs；电阻率测量范围：ρ>2Ω·cm
2. 测量重复性误差≤±20%
3.光脉冲发生装置
重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs
4.红外光源波长： 1.09μm（测量硅单晶）。
5.脉冲电源：5A～20A
6.高频源:高频振荡源：石英谐振器；频率：30MHz；低输出阻抗，输出功率＞1W
7. 放大器和检波器
放大倍数约25倍，频宽：2Hz～2MHz
8．可测单晶尺寸：断面竖测：直径25～150，厚度2mm～500mm。
 纵向卧测：直径5mm～150mm，长度50mm～800mm.
11、配用示波器 
（1）频宽0～40MHz；
（2）电压灵敏：10mV/cm；
13. 外型尺寸：电气主机：43厘米*38厘米*13厘米；
14.整机重量:18公斤；